隨著電動汽車、智能電網、核電、太陽能以及航海、航空、航天、高鐵交通等能源領域的不斷發展，我們對電力設備的性能有了更高的要求。 然而，目前以硅材料為基礎的第一代半導體材料已經接近其性質所決定的理論極限。   第三代半導體材料具有更寬的帶寬、更高的擊穿電